U gruppu di ricerca di u ricercatore Yang Liang à l'Istitutu Suzhou per Studi Avanzati in l'Università di Scienza è Tecnulugia di a Cina hà sviluppatu un novu metudu per a fabricazione di micro-nano laser di semiconductor d'ossidu di metallu, chì hà realizatu a stampa laser di strutture semiconductor ZnO cun precisione submicronica, è cumminata. cù stampa laser di metallu, per a prima volta verificatu a scrittura diretta laser integrata di cumpunenti microelettronici è circuiti cum'è diodi, triodi, memristori è circuiti di criptografia, estendendu cusì i scenarii d'applicazione di u processu micro-nano laser à u campu di a microelettronica, in l'elettronica flessibile, i sensori avanzati, i MEMS intelligenti è altri campi anu prospettive d'applicazione impurtanti. I risultati di a ricerca sò stati publicati recentemente in "Nature Communications" sottu u titulu "Laser Printed Microelectronics".
L'elettronica stampata hè una tecnulugia emergente chì usa metudi di stampa per fabricà prudutti elettronici. Incontra e caratteristiche di flessibilità è persunalizazione di a nova generazione di prudutti elettronichi, è purterà una nova rivoluzione tecnologica à l'industria di a microelettronica. In l'ultimi 20 anni, a stampa inkjet, u trasferimentu laser-induced (LIFT), o altre tecniche di stampa anu fattu grandi passi per permette a fabricazione di dispositivi microelettronici organici è inorganici funzionali senza a necessità di un ambiente di stanza pulita. Tuttavia, a taglia caratteristica tipica di i metudi di stampa, sopra, hè di solitu nantu à l'ordine di decine di microns, è spessu abbisogna un prucessu di post-processamentu à alta temperatura, o s'appoghja nantu à una cumminazione di più prucessi per ottene u trasfurmazioni di i dispositi funziunali. A tecnulugia di trasfurmazioni micro-nano laser utilizza l'interazzione non lineare trà impulsi laser è materiali, è pò ottene strutture funziunali cumplessi è fabricazioni additive di i dispositi chì sò difficiuli di ottene per metudi tradiziunali cù una precisione <100 nm. Tuttavia, a maiò parte di e strutture micro-nano-fabbricate laser attuali sò materiali polimeri unichi o materiali metallici. A mancanza di metudi di scrittura diretta laser per i materiali semiconduttori rende ancu difficiuli di espansione l'applicazione di a tecnulugia di trasfurmazioni micro-nano laser in u campu di i dispositi microelettronici.
In questa tesi, u ricercatore Yang Liang, in cuuperazione cù circadori in Germania è in Australia, hà sviluppatu innovativamente a stampa laser cum'è una tecnulugia di stampa per i dispositi elettronici funzionali, rializendu semiconductor (ZnO) è cunduttore (stampa laser composta di diversi materiali cum'è Pt è Ag) (Figura 1), è ùn ne richiede alcuna tappa di u prucessu di post-processamentu à alta temperatura, è a dimensione minima di e caratteristiche hè <1 µm. Stu scontru permette di persunalizà u disignu è a stampa di i cunduttori, i semiconduttori, è ancu u layout di i materiali insulanti secondu e funzioni di i dispositi microelettronici, chì migliurà assai l'accuratezza, a flessibilità è a cuntrullabilità di i dispositi microelettronici di stampa. In questa basa, u squadra di ricerca hà realizatu successu a scrittura diretta laser integrata di diodi, memristori è circuiti di criptografia fisicamenti non riproducibili (Figura 2). Sta tecnulugia hè cumpatibile cù a stampa inkjet tradiziunale è altre tecnulugii, è hè prevista per esse allargata à a stampa di diversi materiali di ossidu di metallu semiconductor di tipu P è N, chì furnisce un novu metudu sistematicu per u trattamentu di cumplessi, grande scala, i dispusitivi microelettronici funziunali tridimensionali.
Tesi:https://www.nature.com/articles/s41467-023-36722-7
Tempu di Postu: Mar-09-2023